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    普通晶振

    晶振 鐘振 晶體振蕩器 普通晶振

    Crystal Oscillators 

    晶振,晶體振蕩器,普通晶振

    一、石英晶體諧振器:
    A、主要指標
    1.頻率 f        
    2.頻率公差   
    3.切型 AT  BT  SC      
    4.泛音次數(shù)  基頻  三次泛音  五次泛音  七次泛音   
    5.電阻  Rr  RL     
    6.負載電容  CL
    7.靜電容  Co   
    8.動態(tài)電容 C1 
    9.電容比 r =Co / C1  
    10.頻率牽移 Ts ( ppm / pF ) 
    11.Q值
    12.DLD  
    13.老化
    14.寄生抑制
    15.頻率溫度特性(F-T)


    B、有源晶振與無源晶振
       石英晶片之所以能當為振蕩器使用,是基于它的壓電效應:在晶片的兩個極上加一電場,
    會使晶體產(chǎn)生機械變形;在石英晶片上加上交變電壓,晶體就會產(chǎn)生機械振動,同時機械
    變形振動又會產(chǎn)生交變電場,雖然這種交變電場的電壓極其微弱,但其振動頻率是十分穩(wěn)定的。當外加交變電壓的頻率與晶片的固有頻率(由晶片的尺寸和形狀決定)相等時,機械振動的幅度將急劇增加,這種現(xiàn)象稱為“壓電諧振”。

     

    在電子學上,通常將含有晶體管元件的電路稱作“有源電路”(如有源音箱、有源濾波器等),
    而僅由阻容元件組成的電路稱作“無源電路”。電腦中的晶體振蕩器也分為無源晶振和有源晶振兩種類型。無源晶振與有源晶振的英文名稱不同,無源晶振為crystal(晶體),而有源晶振則叫做oscillator(振蕩器)。無源晶振是有2個引腳的無極性元件,需要借助于時鐘電路才能產(chǎn)生振蕩信號,自身無法振蕩起來,所以“無源晶振”這個說法并不準確;有源晶振有4只引腳,是一個完整的振蕩器,其中除了石英晶體外,還有晶體管和阻容元件,因此體積較大。

    二、晶體振蕩器:晶振,晶體振蕩器,普通晶振
    A、晶體振蕩器是一種時間/頻率器件,由晶體諧振器和振蕩電路組成。

    B、晶體振蕩器的分類:

    按照其功能類型可分為四種:
    SPXO  簡單封裝晶體振蕩器
    VCXO  電壓控制晶體振蕩器
    TCXO  溫度控制晶體振蕩器 溫度補償晶體振蕩器
    OCXO  恒溫晶體振蕩器 溫度控制晶體振蕩器

    C、常規(guī)批量生產(chǎn)可達到的穩(wěn)定度:
                     SPXO       VCXO      TCXO         OCXO
     0 to 70℃      10 ppm     10 ppm    0.1 ppm     0.005 ppm
    -20 to 70℃     25 ppm     25 ppm    0.3 ppm     0.01 ppm
    -40 to 85℃     30 ppm     30 ppm    0.5 ppm     0.03 ppm
    -55 to 125℃    50 ppm     50 ppm    1.0 ppm       N/A

     

    工作溫度范圍內(nèi)的穩(wěn)定度要求 典型應用             振蕩器類型
    ±0.2ppm           電信傳輸設備的時鐘基準           OCXO
    ±0.2~±0.5ppm 電信傳輸設備的Stratum 3時鐘基準    OCXO,帶模擬集成電路的TCXO
    ±0.5~±1.0ppm **無線電設備,E-911蜂窩定位器 帶模擬集成電路的TCXO
    ±1.0~±2.5ppm 移動無線電設備(例如應急通信設備) 帶模擬集成電路的TCXO
    ±2.5~±10ppm     移動電話 帶電熱調(diào)節(jié)的TCXO
    ±10~±20ppm     傳真機 TCXO,VCXO,SPXO   
        > ±20ppm   計算機時鐘信號源 SPXO/XO

    D、晶體振蕩器主要技術指標:
    1)標稱頻率
    2)中心頻率偏差
    3)頻率調(diào)整范圍(機械或壓控)
    4)工作溫度范圍
    5)壓控特性(電壓范圍、極性、線性度、壓控輸入阻抗)
    6)輸出波形(正弦波; 方波:上升/下降沿時間、占空比、高/低電平)
    7)工作電流、功耗
    8)電壓變化頻率穩(wěn)定度
    9)負載變化頻率穩(wěn)定度
    10)溫度頻率穩(wěn)定度
    11)負載能力
    12)頻率老化(長期頻率穩(wěn)定度)
    13)短期頻率穩(wěn)定度
    14)相位噪聲
    15)開機特性

    E、晶體振蕩器-SPXO:
    簡單封裝晶體振蕩器,沒有電壓控制和溫度補償,頻率溫度特性取決于晶體單元,
    稱為SPXO(Simple Packaged Crystal Oscillator )或時鐘(Clock)。

    F、溫度補償晶體振蕩器-TCXO:
    1.直接溫度補償晶體振蕩器
    2.間接溫度補償晶體振蕩器

    G、恒溫晶體振蕩器 - OCXO
    近年來,由于技術的發(fā)展,OCXO多采用功率器件直接加熱的方法,只有一些指標要求很高的OCXO才使用恒溫槽。

    H、OCXO主要技術指標定義的IEC標準

    1)標稱頻率(Nominal frequency)
       振蕩器標明的工作頻率。
    2)中心頻率偏差 (Frequency accuracy)
       在基準點溫度環(huán)境(25 ± 2 ℃ )和中心控制電壓時,測得的頻率值與標稱頻率的偏差。
    3)頻率調(diào)諧范圍(Frequency adjustment range)
       用某種可變元件使振蕩器頻率能夠改變的頻率范圍。
       注:調(diào)整的目的:
          1)把頻率調(diào)到規(guī)定調(diào)整范圍內(nèi)的任一特定值。
          2)由于老化和其它條件變化而引起頻率偏移后,能夠把振蕩器頻率修正到規(guī)定值。
          調(diào)整的方式:
          3)調(diào)節(jié)方式有機械調(diào)節(jié)和電壓調(diào)節(jié)兩種
          4)可變元件通常指變?nèi)荻O管、多圈電位器等。
    4)工作溫度范圍 (Operating temp. range)
      振蕩器能夠正常工作,其頻率及其它輸出信號性能均不超過規(guī)定的允許偏差的溫度范圍。
      注:1)工作溫度范圍的下限越低,振蕩器功耗越大,同時頻率溫度穩(wěn)定度越難實現(xiàn)。
          2)工作溫度范圍的上限越高,晶體拐點設置越高, 晶體成本上升越多。
    5)壓控特性(電壓范圍、極性、線性、壓控輸入阻抗)
    當控制電壓變化時,引起的振蕩器輸出的頻率、波形特征等電特性的變化。
    注:1)電壓范圍:用來調(diào)節(jié)頻率的電壓的可調(diào)范圍。常見的有0~3.3V,  0.3~3.0V, 0~ 5V, 0.5~4.5V等。 
        2)壓控范圍:壓控電壓在電壓范圍內(nèi)變化的時候,振蕩器的頻率能夠變化的范圍。
        3)極性:當振蕩器的頻率隨壓控電壓的增加而增加的時候,壓控極性為正極性,反之為負極性。
        4)線性度:理想的壓控電壓和頻率變化量的關系是線性的, 但實際上總會有所偏差, 這個偏差就是
           表征理想程度的壓控線性度, 通常用百分比表示。
        5)如果系統(tǒng)不能給出穩(wěn)定的電壓信號, 或者對輸出頻率有嚴格的控制要求時, 通常振蕩器可以自己給
           出經(jīng)過穩(wěn)壓后的精準的電壓供壓控電壓用, 這個精準的電壓就是參考電壓。
    6)輸出波形(Output waveform)    正弦: 負載能力
       方波: 上升沿時間、下降沿時間、占空比、高/低電平
    振蕩器工作時輸出的波形及波形的具體特性。
    注:常見輸出波形及輸出特性指標:
      1)正弦波(Sine):諧波抑制(Harmonic attenuation)、
         雜波抑制(Noise attenuation )、負載(Load)、輸出幅度(Output level)。
      2)削峰正弦波(Clipping Sine):負載(Load)、輸出幅度(Output level)。
      3)方波(Square):又分為MOS和TTL兩類輸出。
         負載(Load)、占空比(Duty cycle)、上升/下降時間(Rise/fall time)、
         高低電平(“1” and “0” level)。
    7)工作電流、功耗 (Input current, power consumption)
    8)頻率溫度穩(wěn)定度 (Frequency stability over temp.)
       其它條件不變時,由于振蕩器工作在規(guī)定的溫度范圍內(nèi)引起的相對于基準溫度時的頻率偏移。
    9)負載變化頻率穩(wěn)定度 (Frequency stability Vs voltage+/-5% )
       其它條件不變時,由于負載阻抗在規(guī)定范圍內(nèi)變化引起的相對于規(guī)定的負載條件時的頻率偏移。
    10)電源變化頻率穩(wěn)定度 (Frequency stability Vs Load+/-10% )
        其它條件不變時,由于電源電壓在規(guī)定范圍內(nèi)變化引起的相對于規(guī)定的電源電壓時的頻率偏移。
    11)老化率(長期頻率穩(wěn)定度)(Aging , long term stability)
        振蕩器頻率與時間之間的關系。
        注: 這種頻率漂移是石英晶體或/和電路中的其它元器件的長期變化造成的,可以用規(guī)定時間間隔內(nèi)平均頻率的相對變化來表示。
           頻率老化是不可避免的。同時方向可能為正也可能為負。
           又稱為日老化率、長穩(wěn)等。
    12)短期頻率穩(wěn)定度(Short term stability)
          振蕩器短時間內(nèi)的頻率隨機起伏程度。
        注:以秒為單位,又稱為秒基穩(wěn)定度、秒穩(wěn)、短穩(wěn)

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